VHF-PECVD相关论文
与氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜材料具有不可避免的光致衰退效应相比，硅锗薄膜作为窄带隙材料，能够提高太阳光的吸收效率，从而提升薄膜太阳......
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较......
采用VHF-PECVD技术沉积微晶硅薄膜,获得较高的生长速度,但是薄膜质量较差,这与初始生长过程中生成厚的非晶孵化层关系密切。本研究......
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响.通过对......
对RF-PECVD技术沉积p-nc-Si:H薄膜材料进行了研究.随着功率的增大材料的晶化率增大.B的掺杂可以提高材料的电导率,同时会抑制材料......
采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电......
STRUCTURAL PROPERTIES INVESTIGATION ON MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS DEPOSITED WITH VHF-PECVD TECHN
Raman scattering spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM) techniques were used to determine the structural pr......
在掺杂P室采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,制备了不同硅烷浓度条件下的本征微晶硅薄膜.对薄膜电学特性和结构......
随着人类对能源需求的日益增加,太阳能作为一种可再生能源,越来越受到业界的广泛关注。其中硅基薄膜太阳能电池由于其材料成本低,......
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响，并优化了沉积参数．在相同的沉积条件下，甚高频沉积速度明显大于......
利用激活能测试装置测量了VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能，结果表明，在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜的晶化处于......
拉曼系列和扫描电子显微镜(SEM ) 技术被用来决定微晶质的硅的结构的性质(c-Si : H ) 与高频率在不同底层上扔的电影提高血浆的化......
以SiH4和GeF4为反应气体，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对......
在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积（VHF-PECVD）法制备了一系列微晶硅（μc-Si：H）薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较......
STRUCTURAL PROPERTIES INVESTIGATION ON MICROCRYSTALLINE SILICON FILMS DEPOSITED WITH VHF-PECVD TECHN
Raman scattering spectroscopy and scanning electron microscopy (SEM) techniques were used to determine the structural pr......
采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术（VHF-PECVD）分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化......
通过激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜的激活能,结果表明:在不同沉积条件下制备的本征微晶硅薄膜,晶化处于非......
采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜，并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的......
本文采用VHF-PECVD实现了高速沉积非晶硅电池,在保证材料质量的同时使得沉积速率达到10-20A/s。研究了气体滞留时间对于沉积速率的......
首先对电极表面VHF频段电场分布进行了详细的物理分析，认为当激发频率在VHF频段时驻波和损耗波对电场均匀性分布影响很大，而通过选择......
